單晶硅生產(chǎn)工藝及中間體組成方式（三環(huán)唑中間體） | （除草安全劑） | 旗凱

告訴你單晶硅生產(chǎn)工藝及用途（三環(huán)唑中間體），單晶硅是一種良康復(fù)的半導(dǎo)材料，具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體。單晶硅不同的方向具有不同的性質(zhì)，用于制造半導(dǎo)體器件、（甲氧咪草煙）電池等。

單晶硅生產(chǎn)工藝

加料—→熔化—→縮頸生長—→放肩生長—→等徑生長—→尾部生長

（1）加料：將多晶硅原料及雜質(zhì)放入石英坩堝內(nèi)，雜質(zhì)的種類依電阻的N或P型而定。雜質(zhì)種類有硼，磷，銻，砷。

（2）熔化：加完多晶硅原料于石英堝內(nèi)后，長晶爐必須關(guān)閉并抽成真空后充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內(nèi)，然后打開石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度（1420℃）以上，將多晶硅原料熔化。

（3）縮頸生長：當(dāng)硅熔體的溫度穩(wěn)定之后，將籽晶慢慢浸入硅熔體中。由于籽晶與硅熔體場接觸時(shí)的熱應(yīng)力，會使籽晶產(chǎn)生位錯，這些位錯必須利用縮頸生長使之消失掉。縮頸生長是將籽晶快速向上提升，使長出的籽晶的直徑縮小到一定大小（4－6mm）由于位錯線與生長軸成一個(gè)交角，只要縮頸夠長，位錯便能長出晶體表面，產(chǎn)生零位錯的晶體。

（4）放肩生長：長完細(xì)頸之后，須降低溫度與拉速，使得晶體的直徑慢慢增大到所需的大小。

（5）等徑生長：長完細(xì)頸和肩部之后，借著拉速與溫度的不斷調(diào)整，可使晶棒直徑維持在正負(fù)2mm之間，這段直徑固定的局部即稱為等徑局部。單晶硅片取自于等徑局部。

（6）尾部生長：在長完等徑局部之后，如果立刻將晶棒與液面離開，那么熱應(yīng)力將使得晶棒出現(xiàn)位錯與滑移線。于是為了避免此問題的發(fā)生，必須將晶棒的直徑慢慢縮小，直到成一尖點(diǎn)而與液面離開。這一過程稱之為尾部生長。長完的晶棒被升至上爐室冷卻一段工夫后取出，即完成一次生長周期。

單晶硅的用途（三環(huán)唑中間體）

單晶硅主要用于制作半導(dǎo)體元件。

用途（三環(huán)唑中間體）：是制造半導(dǎo)體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關(guān)器件等。

單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的老本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術(shù)的要求也越高。單晶硅按晶體伸長辦法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法伸長單晶硅棒材，外延法伸長單晶硅薄膜。直拉法伸長的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、（甲氧咪草煙）電池。晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域，寬泛用于大功率輸變電、電力機(jī)車、整流、變頻、機(jī)電一體化、節(jié)能燈、電視機(jī)等系列產(chǎn)品。晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。

由于老本和性能的起因，直拉法（CZ）單晶硅材料應(yīng)用最廣。在IC工業(yè)中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲器電路通常使用CZ拋光片，因老本較低。邏輯電路一般使用價(jià)格較高的外延片，因其在IC制造中有更康復(fù)的適用性并具有打消Latch－up的能力。

硅片直徑越大，技術(shù)要求越高，越有市場醫(yī)藥中間體前景，價(jià)值也就越高。